深度聚焦!DRAM产业逆势上扬!Q1营收季增5.1% 价格上涨抵消淡季效应

博主:admin admin 2024-07-05 14:03:30 589 0条评论

DRAM产业逆势上扬!Q1营收季增5.1% 价格上涨抵消淡季效应

[美国,加州] - 2024年6月18日 - 根据市场研究机构TrendForce发布的最新报告,得益于合约价格上涨,DRAM产业在2024年第一季度实现营收季增5.1%,达到183.5亿美元。

尽管第一季度通常是DRAM产业的淡季,但由于服务器和PC DRAM需求强劲,加上智能手机和消费电子产品库存去化顺利,价格持续上扬,抵消了淡季效应,推动了整体营收增长。

三大原厂表现各异

从各家厂商表现来看,三星电子凭借其在服务器和PC DRAM市场的领先地位,第一季度营收增长8.9%,达到69.8亿美元,排名第一。其次是SK hynix,营收微增2.6%至57亿美元,排名第二。美光科技则以17.8%的强劲增幅位居第三,营收达到39.5亿美元。

价格上涨趋势预计将持续

TrendForce分析师预计,DRAM价格在第二季度将继续小幅上涨,主要原因是服务器和PC DRAM需求稳健,以及智能手机和消费电子产品库存去化仍在进行。

以下是一些可能对DRAM产业未来发展产生影响的因素:

  • 全球经济形势
  • 服务器和PC市场需求
  • 智能手机和消费电子产品库存水平
  • 新技术的研发进展

**总体而言,**DRAM产业在经历了2022年的下滑后,正展现出强劲的复苏势头。预计未来几个季度,随着需求的持续增长和价格的上涨,DRAM产业将保持良好的发展态势。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

[美国,加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告,三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位,其平均每单元比特堆叠层数达到了176层,而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出,三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术,例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术,使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外,三星还开发了一种新的3D NAND架构,该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金,并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存,预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一,具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长,3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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